随着电子工业的迅猛发展和电子设备的广泛应用，电磁波辐射被认为是继水污染、噪音污染、空气污染后的第四大公害。
电子器件发射的高频电磁波不仅会导致电子器件的非正常运作，还能影响到人们的正常生活，甚至会威胁国家的军事机密。比如，高频电磁波辐射可以影响甚至破坏军事设备的敏感器件，使无线电通讯指挥系统、现代化武器作战平台失效或者失控。
此外，电子设备发射的电磁波可能诱发某些疾病，如睡眠不足、头晕、呕吐，严重的可能诱发癌症、心血管疾病等。
因此，电磁屏蔽/吸波材料的研究开发一直备受世界各国学术界和工业界的广泛关注。
所谓的电磁屏蔽/吸波材料最重要的包含金属和高分子复合材料。传统的金属基电磁屏蔽材料存在密度大、结构设计困难等问题，并且应用也受到限制。
可喜的是，聚合物/吸收剂复合材料具有很好的可设计性，可以部分解决金属基电磁屏蔽材料存在的技术瓶颈。其中，具有微发泡结构的聚合物基电磁屏蔽/吸波材料是近几年该领域的热点研究方向之一。
理由是：泡孔结构不仅赋予电磁屏蔽/吸波材料轻质的优势，发泡过程产生的双向牵伸作用还有利于二次分散聚合物基体中的吸收剂。同时，泡孔结构的引入可以使进入材料的电磁波陷入“迷宫结构”中，从而显著地提升材料的电磁屏蔽效能，有很大效果预防材料的电磁泄漏。
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由位于柏林的全球能源互联网欧洲研究院(简称欧洲研究院)重点研发的石墨烯改性电工材料新技术此前成功应用于高压断路器新型电触头制备。近日，基于这种新型电触头部件的252KV/63KA敞开式柱上断路器在宁夏石嘴山步桥变电站中正式投入运行。据介绍，这项高端电工材料新技术在全球范围内率先填补了石墨烯改
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4月25日获悉，中国电力科学研究院有限公司完成新型防腐涂料变压器温升模拟实验。实验多个方面数据显示，与传统防腐蚀涂层相比，新型防腐涂料可延长变压器绝缘纸服役寿命，明显提升变压器等输变电设备环保性能，还克服了常规涂料添加高导热填料后防腐蚀和抗老化性能下降的难题。由于传统防腐蚀涂层热导率远低于外壳金属材料
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为了寻求可持续的能源储存，瑞典查尔姆斯理工大学的研究人员提出了一个新的概念，将石墨烯应用到可持续的钠离子电池中，从而让容量比传统钠离子电池增长了十倍。
2020年9月，国家发展改革委等四部门联合印发《关于扩大战略性新兴起的产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》，提出了“解决聚焦新能源装备制造‘卡脖子’问题，应加快IGBT、控制管理系统等核心技术部件研发”的要求。要求中提到的IGBT，即绝缘栅双极晶体管的简称。它好比一个闸门、一个开关，可以根据工
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近日，国家发改委、生态环境部等印发了电子器件（半导体芯片）制造业清洁生产评价指标体系，对于生产工序中的挥发性有机物处理技术、废水净化处理、固态废料处置等都进行了规定，全文如下：[$NewPage$][$NewPage$][$NewPage$]
目前，我国IGBT行业竞争群组分为三类，中高端产品被欧美、日韩占据，国内企业占据中低端IGBT产品少部分市场占有率。我国IGBT行业进口产品主要是日本和欧美品牌，主要的品牌有英飞凌、三菱、FUJI、ABB、IR、东芝(IGBT已与三菱合并)、飞兆等，欧美品牌的产品主要用在电力电子和通讯行业，而日本的品牌主要
浩亭在阿姆斯特丹电子器件供应商峰会上再获佳积，荣获互连与机电供应商年度大奖。在过去五年，浩亭已经展示出与其全球电气元件业务相称的战略合作伙伴地位。在此期间，他们在北美市场的增长率达到161%，在欧洲、中东和非洲地区达到65%，在亚太地区达到了47%。浩亭是2017年全球增长最迅速的互连产品品牌
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1月30日(星期二)上午10时，国务院新闻办公室举行举行2017年工业通信业发展状况发布会，请工业与信息化部部长苗圩介绍2017年工业通信业发展状况。工业与信息化部部长苗圩表示，2017年，工业运行稳中有进、稳中向好、好于预期，整体呈现质量效益同步改善、结构调整明显加快、新旧动能有序转换的良好势头
浩亭一款源自har-flex系列的带预凸起触点小型化印刷电路板（PCB）连接器现已上市。该款连接器配有顺序开关功能，能够保护敏感型电子器件避免因使用中的插拔而造成的损坏。小型化1.27毫米-点har-flexSMT连接器因其坚固性在模块化电子系统的使用一直增长。终端用户经常在现场通过添加其他功能模块或替换
导读：电力电子器件及电力电子技术在现代电网的发展中发挥着很重要的作用。从电力电网的发展史来看,几乎都是以电力电子器件的发展过程作为基础。本文从电力系统用电力电子器件方面出发,分析了电力系统用电力电子器件需求、现状及不足等。详细内容如下：[$NewPage$][$NewPage$]延伸阅读：电力系统知识
1引言变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代以后，电力电子器件经历了SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)、BJT(双极型功率晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、SIT(静电感应晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
国务院日前印发《中国制造2025》规划。规划力争通过三步走来实现战略目标。第一步：力争用十年时间，迈入制造强国行列。第二步：到2035年，我国制造业整体达到世界制造强国阵营中等水平。第三步：新中国成立一百周年时，制造业大国地位更加巩固，总实力进入世界制造强国前列。延伸阅读;人机一体化智能系统亟待
