的开展遭到必定影响。但在更高电压、更大电流的使用中，跟着外延层（或单晶）厚度、率的的添加，MOSFET、IGBT导通压降随之大幅度上升。而双极型晶体管、及其衍生器材因为其具有电导调制效应，可改进大电流情况下的导通压降，因而，在、低频使用领域存在广泛的需求。在结构方面，MCT多晶硅栅电极下具有双沟道，分别为注册沟道和关断沟道。MCT将晶闸管的大电流容量、高阻断电压、低饱满压降特色和MOS场控器材的栅极控制能力结合在一起，降低了低频使用中晶闸管驱动功率和结构较杂乱、制备难度较大、工作条件较苛刻，因而为了改进MCT的电学特性，需要在深刻理解器材导通机理的基础上，对器材结构
图1为MCT半单胞结构。为了使得仿真成果具有实践参阅含义，依据电参数目标要求，使用TCAD半导体器材仿真软件对MCT单胞横向、纵向结构参数进行了规划，后续的仿线为MCT电参数目标。规划得到的MCT结构参数和工艺参数为：沟道宽度为4×106μm；单胞半宽度为15μm，窗口区半宽度为5μm，多晶硅区半宽度为10μm；P+衬底厚度和掺杂浓度分别为150μm和1×1019cm-3，衬底晶向为；N-外延层厚度和掺杂浓度分别为160μm和7×1013cm-3（外延层电阻率为63Ω.cm）栅氧化层厚度为60nm，注入过程中献身氧化层厚度为20nm；P-体区注入剂量和能量分别为3.5×1014cm-2和60KeV，P-体区退火时刻和温度分别为70min和1150℃；N+体区窗口区宽度为0.5μm，N+体区磷注入剂量和能量分别为8×1014cm-2和60KeV；N-体区磷注入剂量和能量分别为5×1014cm-2和60KeV， N-体区退火时刻和温度分别为130min和1150℃；P+阴极区窗口宽度为2μm，P+阴极区硼注入剂量和能量分别为2×1015cm-2和50KeV， P+阴极区退火时刻和温度分别为1min和1000℃；注册沟道长度和关断沟道长度分别为2.7μm和0.8μm；侧墙氧化层厚度为0.5μm；硅资料原始少子寿命为10μs；P+阳极区与N-外延层之间选用N+缓冲层结构，N+缓冲层为均匀掺杂，掺杂浓度和厚度为变量。纵向结构选用传统的晶闸管工艺完成，横向选用DMOS硅栅工艺，终端选用终端结扩展结构。
工艺流程为：分散P+区→光刻（一次光刻）分散P-体区→光刻（二次光刻）分散N+区→成长栅氧化层→成长多晶硅→光刻（三次光刻）分散N-阱→自对准分散P+→成长SiO2和Si3N4→光刻（四次光刻）引线孔→蒸铝→反刻（五次光刻）→钝化→钝化光刻（六次光刻）。图2为规划得到MCT输出特性曲线可知，规划得到的MCT电学功能满意电参数目标要求，标明结构参数规划和工艺条件挑选较合理。
电压按捺二极管一般会用二极管式的轴向引线封装，如图所示。它的最基本中心单元为芯片，芯片是由半导体硅资料分散而制成
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